Transistor bipolare a gate isolato

Artykuł „Transistor bipolare a gate isolato“ w włoskiej Wikipedii posiada 9.3 punktów za jakość (stan na 1 lipca 2025 roku). Artykuł zawiera, oprócz innych wskaźników, 0 referencji oraz 4 sekcji. Artykuł zawiera również szablony informujące o wadach jakościowych, dlatego jego ocena została obniżona o 0,49 pkt. Ten artykuł ma najlepszą jakość w angielskiej Wikipedii. Również artykuł jest najbardziej popularny w tej wersji językowej (włoskiej).

W czerwcu 2025 artykuł "Transistor bipolare a gate isolato" był edytowany przez 1 autorów w włoskiej Wikipedii oraz napisany przez 3 autorów we wszystkich wersji językowych.

Od czasu utworzenia artykułu "Transistor bipolare a gate isolato" jego treść była napisana przez 52 zarejestrowanych użytkowników włoskiej Wikipedii oraz edytowana przez 989 zarejestrowanych użytkowników Wikipedii we wszystkich wersjach jézykowych.

Ten artykuł jest cytowany 143 razy w włoskiej Wikipedii oraz cytowany 4380 razy we wszystkich wersjach językowych.

Najwyższe zainteresowanie autorów od 2001 roku:

• Lokalny (Włoski): Nr 5165 w grudniu 2005 roku
• Globalny: Nr 6810 w lutym 2023 roku

Najwyższa popularność w rankingu od 2008 roku:

• Lokalny (Włoski): Nr 25931 w lutym 2008 roku
• Globalny: Nr 22907 w paździeriku 2013 roku

Dla danego artykułu znaleziono 31 wersji językowych w bazie danych WikiRank (z 55 rozpatrywanych wersji językowych Wikipedii).

Dane z dnia 1 lipca 2025 roku.

Poniższa tabela przedstawia wersje językowe artykułu o najlepszej jakośći.

#	Język	Odznaka jakośći	Ocena jakośći
1	Angielski (en) Insulated-gate bipolar transistor		72.3103
2	Estoński (et) Isoleeritud paisuga bipolaartransistor		42.9485
3	Francuski (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		40.5182
4	Węgierski (hu) IGBT		37.6691
5	Rumuński (ro) Tranzistor IGBT		31.0744
6	Chiński (zh) 絕緣柵雙極晶體管		29.0471
7	Wietnamski (vi) IGBT		26.4633
8	Niemiecki (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		24.1055
9	Hiszpański (es) Transistor IGBT		23.365
10	Szwedzki (sv) IGBT		22.9939

Więcej...

Następna tabela zawiera najbardziej popularne wersje językowe tego artykułu.

Najpopularniejsze wersje językowe artykułu "Transistor bipolare a gate isolato" za cały czas

#	Język	Odznaka popularności	Ocena popularności
1	Angielski (en) Insulated-gate bipolar transistor		4 055 817
2	Niemiecki (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		1 108 037
3	Japoński (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		1 107 991
4	Hiszpański (es) Transistor IGBT		898 014
5	Rosyjski (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		668 729
6	Chiński (zh) 絕緣柵雙極晶體管		482 479
7	Francuski (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		479 276
8	Polski (pl) IGBT		313 429
9	Włoski (it) Transistor bipolare a gate isolato		229 700
10	Portugalski (pt) IGBT		214 453

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największą popularnością za ostatni miesiąc.

Najpopularniejsze wersje językowe artykułu "Transistor bipolare a gate isolato" w czerwcu 2025

#	Język	Odznaka popularności	Ocena popularności
1	Angielski (en) Insulated-gate bipolar transistor		9 660
2	Japoński (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		2 290
3	Niemiecki (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		1 720
4	Rosyjski (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		1 662
5	Chiński (zh) 絕緣柵雙極晶體管		1 539
6	Hiszpański (es) Transistor IGBT		1 110
7	Francuski (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		1 001
8	Polski (pl) IGBT		587
9	Włoski (it) Transistor bipolare a gate isolato		388
10	Czeski (cs) IGBT		331

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największym zainteresowaniem autorów.

Wersje językowe artykułu "Transistor bipolare a gate isolato" o największym zainteresowaniu autorów (liczba autorów). Tylko zarejestrowani użytkownicy Wikipedii zostały brane pod uwagę.

#	Język	Odznaka	Względne ZA
1	Angielski (en) Insulated-gate bipolar transistor		201
2	Niemiecki (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		99
3	Francuski (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		89
4	Rosyjski (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		62
5	Japoński (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		53
6	Włoski (it) Transistor bipolare a gate isolato		52
7	Niderlandzki (nl) Insulated-gate bipolar transistor		41
8	Chiński (zh) 絕緣柵雙極晶體管		36
9	Wietnamski (vi) IGBT		33
10	Polski (pl) IGBT		31

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największym zainteresowaniem autorów za ostatni miesiąc.

Wersje językowe artykułu "Transistor bipolare a gate isolato" o największym zainteresowaniu autorów (liczba autorów)

#	Język	Odznaka	Względne ZA
1	Angielski (en) Insulated-gate bipolar transistor		1
2	Włoski (it) Transistor bipolare a gate isolato		1
3	Rosyjski (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		1
4	Arabski (ar) ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة		0
5	Bułgarski (bg) IGBT транзистор		0
6	Kataloński (ca) Transistor bipolar de porta aïllada		0
7	Czeski (cs) IGBT		0
8	Duński (da) Insulated-gate bipolar transistor		0
9	Niemiecki (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		0
10	Hiszpański (es) Transistor IGBT		0

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje wersje językowe artykułu z największą liczbą cytowań.

Wersje językowe artykułu "Transistor bipolare a gate isolato" o największym indeksie cytowań

#	Język	Nagroda za IC	Względny IC
1	Japoński (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		933
2	Angielski (en) Insulated-gate bipolar transistor		841
3	Chiński (zh) 絕緣柵雙極晶體管		679
4	Koreański (ko) 절연 게이트 양극성 트랜지스터		286
5	Niemiecki (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		200
6	Włoski (it) Transistor bipolare a gate isolato		143
7	Arabski (ar) ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة		134
8	Ukraiński (uk) IGBT		130
9	Rosyjski (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		124
10	Francuski (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		117

Więcej...

#	Język	Wartość
ar	Arabski ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة
bg	Bułgarski IGBT транзистор
ca	Kataloński Transistor bipolar de porta aïllada
cs	Czeski IGBT
da	Duński Insulated-gate bipolar transistor
de	Niemiecki Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
en	Angielski Insulated-gate bipolar transistor
es	Hiszpański Transistor IGBT
et	Estoński Isoleeritud paisuga bipolaartransistor
fa	Perski آی‌جی‌بی‌تی
fi	Fiński IGBT
fr	Francuski Transistor bipolaire à grille isolée
he	Hebrajski טרנזיסטור IGBT
hi	Hindi इंसुलेटेड गेट बाईपोलर ट्रांजिस्टर
hu	Węgierski IGBT
id	Indonezyjski Transistor dwikutub gerbang-terisolasi
it	Włoski Transistor bipolare a gate isolato
ja	Japoński 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
ko	Koreański 절연 게이트 양극성 트랜지스터
nl	Niderlandzki Insulated-gate bipolar transistor
pl	Polski IGBT
pt	Portugalski IGBT
ro	Rumuński Tranzistor IGBT
ru	Rosyjski Биполярный транзистор с изолированным затвором
sk	Słowacki Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom
sv	Szwedzki IGBT
tr	Turecki IGBT
uk	Ukraiński IGBT
ur	Urdu آئی جی بی ٹی
vi	Wietnamski IGBT
zh	Chiński 絕緣柵雙極晶體管

Najlepsza pozycja

Włoski: Nr 25931 02.2008

Globalny: Nr 22907 10.2013

Najlepsza pozycja

Włoski: Nr 5165 12.2005

Globalny: Nr 6810 02.2023

W dniu 16 marca 2026 roku w wielojęzycznej Wikipedii internauci najczęściej czytali artykuły na następujące tematy: 98. ceremonia wręczenia Oscarów, Michael B. Jordan, Grzesznicy, Jessie Buckley, Paul Thomas Anderson, Sean Penn, Jedna bitwa po drugiej, Amy Madigan, Hamnet, Timothée Chalamet.

W włoskiej Wikipedii najbardziej popularnymi artykułami w tym dniu były: Premi Oscar 2026, Una battaglia dopo l'altra, Michael B. Jordan, I peccatori, Andrea Kimi Antonelli, Jessie Buckley, Sean Penn, Paul Thomas Anderson, Amy Madigan, Hamnet - Nel nome del figlio.

Projekt WikiRank jest przeznaczony do automatycznej względnej oceny artykułów w różnych wersjach językowych Wikipedii. Obecnie WikiRank pozwala porównywać ponad 44 mln artykułów Wikipedii w 55 językach. Wskaźniki jakośći artykułu są oparte na kopii zapasowej Wikipedia (stan na lipiec 2025). Przy obliczaniu popularności uwzględniono statystyki artykułów za ostatni miesiąc (w czerwcu 2025 roku). Przy obliczaniu aktualnej popularności oraz Zainteresowania Autorów (ZA) artykułów uwzględniono dane za czerwcu 2025 roku. Dla wartości historycznych popularności oraz ZA zostały wykorzystane dane z lat 2001-2025... Więcej informacji